フラッシュメモリー
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パソコンで利用されるＵＳＢメモリー、デジカメやビデオカメラの映像記録に利用されるＳＤカードやメモリースティックにはフラッシュメモリーが用いられている。小さくて軽く、高速大容量なのでたいへん便利だ。フラッシュメモリーは半導体で作られている記憶装置である。ハードディスクが磁気で、ＣＤが表面の凹凸（おうとつ）で情報を記録するのとは異なる。半導体でできているがゆえに、高速処理と微小化が可能になるのだ。フラッシュメモリーの構造を調べてみよう。フラッシュメモリーの１ビットにはソース、ドレイン、ゲートという三つの電極を持つ一つのセルが対応する。このセル構造はＣＭＯＳ型と呼ばれ、他の多くのＬＳＩと共通する。フラッシュメモリーに特徴的なのは、そこに浮遊（ふゆう）ゲートと呼ばれる小部屋が組み込まれていることである。フラッシュメモリーの読み書きの動作を調べてみよう。まずはデータの書き込み。ビット「１」は初期状態、すなわち浮遊ゲートに電子が存在しない状態を対応させる。ビット「０」の書き込みには、ソース・ドレインに電圧をかけ、さらにゲートに高電圧をかけて、大量の電子を流す。その電流の一部を浮遊ゲートに誘導して貯ためることで、「０」を表現する。逆電圧をかければ、再び「１」に戻る。続いてデータの読み出しを調べてみよう。読み出しには、ゲートに低電圧をかけ、ソース・ドレイン間にも電圧をかける。浮遊ゲートに電子がなければ、通常のＣＭＯＳと同一なので、電子が流れる。浮遊ゲートに電子があれば、弱いゲート電圧は打ち消され、電子が流れない。こうして電流の有無で、データの「１」と「０」を読み取ることができるのである。このように、浮遊ゲートを巧たくみに利用することで、フラッシュメモリーはデータの読み出し・書き込みを実行するのである。最後に、このフラッシュメモリーの発明者は日本の舛岡（ますおか）富士雄氏であることを記しておこう。